抗靜電包裝袋的作用與要求
抗靜電包裝袋已成為一種日益增長(zhǎng)的包裝袋,它是包裝袋上日益深化研究的重要課題。人們對(duì)它的重視主要來(lái)自兩方面。
一方面,高分子材料已成為最重要的包裝袋材料,而高分子材料大多是電絕緣性優(yōu)良的材料,其表面電阻率高,高分子化合物大多為水性材料,不易從環(huán)境中吸附水分而降低表面電阻,高聚物材料在接觸、斷裂、剝離、摩擦、壓電、感應(yīng)燈狀況下均能產(chǎn)生靜電,集聚大量電荷,造成靜電危害,輕則妨礙包裝、吸塵,重則引起火災(zāi)。
另一方面,各種電子類產(chǎn)品越來(lái)越精細(xì),微電子元件深入到了工業(yè)、軍事、日常生活方面,無(wú)處不在。微電子產(chǎn)品的靜電敏感度隨著產(chǎn)品的小型化、集成化而提高。各種電子器件對(duì)靜電放電(ESD)的敏感度見(jiàn)表格:
各種電子器件對(duì)ESD的敏感度
器件類型 ESD敏感度范圍,V
VMOS 30-1800
MOSFET 100-200
GaAsFET 100-300
EPROM 100
JEFT 140-7000
ECL 500-1500
GMOS 250-3000
對(duì)于防靜電電阻隔性材料,我國(guó)于1996頒布并實(shí)施國(guó)軍標(biāo)GJB2605-96,改標(biāo)準(zhǔn)等效采用美軍標(biāo)MIL--B--81705C,對(duì)阻隔包裝袋的靜電性能指標(biāo)做出了明確貴點(diǎn),見(jiàn)表:
性能指標(biāo) 適用類型 性能要求 檢驗(yàn)條件
靜電衰減 ① ② ③ ≤2.00s RT:23±2℃、RH:12%±3%
電磁干擾衰減 ① ② ≥25dB、≥10dB
表面電阻率 ① ② ③ ≥10 RT:23±2℃、RH:12%±3%
靜電屏蔽 ① ② ≤30V RT:23±2℃、RH:12%±3%
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抗靜電包裝袋的作用與要求
抗靜電包裝袋已成為一種日益增長(zhǎng)的包裝袋,它是包裝袋上日益深化研究的重要課題。人們對(duì)它的重視主要來(lái)自兩方面。
一方面,高分子材料已成為最重要的包裝袋材料,而高分子材料大多是電絕緣性優(yōu)良的材料,其表面電阻率高,高分子化合物大多為水性材料,不易從環(huán)境中吸附水分而降低表面電阻,高聚物材料在接觸、斷裂、剝離、摩擦、壓電、感應(yīng)燈狀況下均能產(chǎn)生靜電,集聚大量電荷,造成靜電危害,輕則妨礙包裝、吸塵,重則引起火災(zāi)。
另一方面,各種電子類產(chǎn)品越來(lái)越精細(xì),微電子元件深入到了工業(yè)、軍事、日常生活方面,無(wú)處不在。微電子產(chǎn)品的靜電敏感度隨著產(chǎn)品的小型化、集成化而提高。各種電子器件對(duì)靜電放電(ESD)的敏感度見(jiàn)表格:
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器件類型 ESD敏感度范圍,V
VMOS 30-1800
MOSFET 100-200
GaAsFET 100-300
EPROM 100
JEFT 140-7000
ECL 500-1500
GMOS 250-3000
對(duì)于防靜電電阻隔性材料,我國(guó)于1996頒布并實(shí)施國(guó)軍標(biāo)GJB2605-96,改標(biāo)準(zhǔn)等效采用美軍標(biāo)MIL--B--81705C,對(duì)阻隔包裝袋的靜電性能指標(biāo)做出了明確貴點(diǎn),見(jiàn)表:
性能指標(biāo) 適用類型 性能要求 檢驗(yàn)條件
靜電衰減 ① ② ③ ≤2.00s RT:23±2℃、RH:12%±3%
電磁干擾衰減 ① ② ≥25dB、≥10dB
表面電阻率 ① ② ③ ≥10 RT:23±2℃、RH:12%±3%
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